Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 16.2
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 46
    Intorno -77% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 1,519.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 3200
    Intorno 6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    46 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,519.2 left arrow 12.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    241 left arrow 2728
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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