RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1907
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link