Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    46 left arrow 56
    Wokół strony 18% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.1 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.5 left arrow 1,519.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 3200
    Wokół strony 6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    46 left arrow 56
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,909.8 left arrow 20.1
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,519.2 left arrow 10.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    3200 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    241 left arrow 2455
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania