RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
56
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.1
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.5
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2455
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link