RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
46
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2571
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO M418039 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
A-DATA Technology EXTREME DDR2 1066+ 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link