RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,096.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2663
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link