RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,096.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.7
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,096.4
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
693
2663
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link