RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
25.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
56
Wokół strony -300% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
14
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
4182
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link