RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
77
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3350
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link