RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
AMD R7416G2133U2S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
78
Wokół strony 1% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R7416G2133U2S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
78
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link