RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs AMD R7416G2133U2S 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
AMD R7416G2133U2S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
77
78
Rund um 1% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R7416G2133U2S 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
78
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
6.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link