RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3063
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link