RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
77
Por volta de -133% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3063
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link