RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1998
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link