RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3001
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link