RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3576
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link