RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2979
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link