RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3132
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link