RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4068
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link