RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2730
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link