RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4042
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link