RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4042
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link