RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3285
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link