RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3538
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link