RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3559
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link