RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
77
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2870
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link