RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3490
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Unifosa Corporation HU564403EP0200 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link