RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
77
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
62
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2018
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link