RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1967
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link