RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2553
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link