RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
77
Wokół strony -133% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2553
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link