RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link