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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
26
读取速度,GB/s
3,405.2
16.0
写入速度,GB/s
2,622.0
11.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2650
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB RAM的比较
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
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