RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2408
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link