RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
77
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
69
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1831
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link