RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
77
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1909
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link