RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2904
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link