RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3622
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link