RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3622
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C9 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link