RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2780
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link