RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3122
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link