RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3038
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link