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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
3,405.2
17.6
写入速度,GB/s
2,622.0
13.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3038
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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