RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3212
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6D1 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link