RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3648
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link