RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2913
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link