RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3297
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link