RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3297
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link