RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
77
Wokół strony -353% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
17
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3550
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link