RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4142
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link