RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3736
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link