RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
77
Intorno -166% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
29
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3736
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link