RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
77
Wokół strony -328% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3871
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link